硅碳棒單溫區(qū)燒結與硅碳棒雙溫區(qū)燒結比較
采用表1中燒結溫度曲線D的升溫方式,對第九、十溫區(qū)進行研究,其它溫區(qū)溫度設定值不變〔所采用產(chǎn)品為同批生產(chǎn)的同種產(chǎn)品),把實驗分成兩組,一組采用硅碳棒雙溫區(qū)燒結,一組采用硅碳棒單溫區(qū)燒結,兩組實驗中其它燒結條件不變,實驗結果如表名。
從表中可以看出,采用硅碳棒單溫區(qū)燒結后,所得產(chǎn)品磁性能優(yōu)于采用硅碳棒雙溫區(qū)燒結所得產(chǎn)品磁性能。大量實驗結果證明。對第九、十溫區(qū)燒結溫度稍作調(diào)整,形成硅碳棒單溫區(qū)燒結,所得產(chǎn)品。值明顯高于經(jīng)硅碳棒雙溫區(qū)燒結后所得產(chǎn)品的值。
采用硅碳棒雙溫區(qū)燒結,較之硅碳棒單溫區(qū)燒結,相當于增加了保溫時間,促使固相反應完全。使產(chǎn)品燒結密度增高、從而導致B,值增高但同時晶粒增大,必然帶來產(chǎn)品H。下降。對于一條給定的窯體,其溫區(qū)間距設置是一定的,硅碳棒的分布也是給定的,有人提出可以通過調(diào)節(jié)電窯進料速度來解決B和FI。這對共生的矛盾,但進料速度若過快,卻難以解決由此而導致的產(chǎn)品燒結合格率和質(zhì)量下降這兩大問題。在硅碳棒雙溫區(qū)燒結前提下降低產(chǎn)品的燒結溫度。雖然可以適當?shù)靥岣弋a(chǎn)品H值,但同時也會下降。
采用硅碳棒單溫區(qū)燒結,能夠適當?shù)乜s短產(chǎn)品在高溫燒結區(qū)的保溫時間,從而達到提高II。的目的同時,若適當?shù)靥岣邿Y溫度。產(chǎn)品的B,也會提高。只要把硅碳棒單溫區(qū)燒結的高溫和次高溫調(diào)節(jié)到最佳狀態(tài),再輔以恰當?shù)倪M料速度,我們就可以最大限度地獲得材料的最佳磁性能,獲得高B‘和高H。產(chǎn)品,完全成為可能。而且還不會影響產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量,曾采用硅碳棒單溫區(qū)燒結方式,用該電窯生產(chǎn)出Y3pBH以上各牌號產(chǎn)品。http://zsrider.com/
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