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       硅碳棒電阻率(re,WVtv)是表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量(某種材料制成長為1m，橫截面積為1m-的導體電阻，在數(shù)值上等于這種材料的電阻率下它是反映物質(zhì)對電流阻礙作用的屬性，其不僅與材料種類有關，還與溫度、壓力和磁場等外界因素有關在溫度一定的情況下，材料電阻:(1)式中:P為電阻率;乙為材料長度;5為橫截面積可以看出，材料的電阻大小與長度成正比，即在材料和橫截面積不變時，長度越長，材料電阻越大;而與材料橫截面積成反比，即在材料和長度不變時，橫截面積越大，電阻越小因此電阻率:試驗測得硅碳棒在200,400,600200(時的電阻，如表2所示發(fā)熱元件硅碳棒的電阻率是一個變化的參數(shù)，200800℃時段，其電阻率快速由大變小，800--200℃其電阻率緩慢由小變大。不同溫度時硅碳棒電阻硅碳棒負荷密度與爐膛溫度和其表面溫度的關系負荷密度是表征負荷分布密集程度的量化參數(shù)，硅碳棒表面負荷密度是指單位面積的發(fā)熱功率，功率大小與硅碳棒的表面溫度和其所在環(huán)境溫度即爐膛溫}X有關，具體關系用熱輻射定律計算:口=5.75P[(T,l1000)-(T=l1000)F(3)式中:P為發(fā)熱部輻射能量.W;1為發(fā)熱部黑度，SiC為0.87;T.為發(fā)熱部表面溫度,K;T,為爐膛溫度，K;F為發(fā)熱部表面積，cm`將代人，得到硅碳棒元件的表面負荷密度8=(}lF=5.75x0.87x[(T,/1000)0-界!l000)]=Sx[(T,l1000)-(T_l1000)(4)代入爐膛、硅碳棒溫度，計算硅碳棒的負荷密度，如表3所小。http://zsrider.com/