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       可以看出，硅碳棒元件發(fā)熱部表面溫度、爐膛溫度、表面負(fù)荷密度3者問(wèn)的關(guān)系:當(dāng)硅碳棒表面溫度一定時(shí)，隨爐膛溫度升高，硅碳棒的負(fù)荷密度逐步降低，直到為0;當(dāng)爐膛溫度一定時(shí)，隨硅碳棒表面溫度升高，其負(fù)荷密度逐步升高一由于鋁合金的熔點(diǎn)為660℃，要求爐膛溫度達(dá)到800℃，硅碳棒表面溫度達(dá)1200℃以f:鋁合金熔化爐的爐膛溫度為8000C;,硅碳棒表面溫1200l:，計(jì)算后，硅碳棒的表面負(fù)荷密度為17W/cm。

       硅碳棒長(zhǎng)期在高溫狀態(tài)下使用，其表面的SiC被氧化，逐步變成SiO,，電阻逐步增加硅碳棒使用溫度和表面負(fù)荷密度決定表面被氧化的快慢根據(jù)實(shí)際被氧化速度和使用時(shí)間統(tǒng)計(jì)分析得出:相同使用時(shí)長(zhǎng)，發(fā)熱表面溫度越高，被氧化越快，表面負(fù)荷密度越大，被氧化越快在非真空條件下使用，硅碳棒表面被氧化不可避免，使電阻增大但總結(jié)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合理論知識(shí)，可以推斷出:若使同一硅碳棒長(zhǎng)期使用，功率恒定不變，可采用增加硅碳棒兩端電壓的方法，以增加硅碳棒的發(fā)熱功率具體:P=L/R或V=ufR(5)式中:為每支硅碳棒的額定功率，W，穩(wěn)定情況下為常數(shù);R為每支硅碳棒的電阻，sz;v為每支硅碳棒的使用電壓,v按照生產(chǎn)實(shí)踐統(tǒng)計(jì)得出，當(dāng)硅碳棒電阻增至原來(lái)的4倍時(shí)，使用壽命結(jié)束此時(shí):V=丫P4R=2v則V=2V_(6)可以得出，增加硅碳棒兩端電壓可保證硅碳棒的發(fā)熱功率不變而硅碳棒電阻變大，是一個(gè)隨時(shí)間延續(xù)不斷增大的過(guò)程，因此必須使硅碳棒兩端電壓隨電阻的增大而增大，也是一個(gè)連續(xù)過(guò)程在實(shí)際生產(chǎn)中常用調(diào)壓變壓器不斷增大硅碳棒兩端電壓，達(dá)到保持發(fā)熱功率不變的目的，若硅碳棒阻值增至原來(lái)的4倍，使用壽命結(jié)束。除此之外，在無(wú)調(diào)壓變壓器的情況下，也可通過(guò)改變接線方式，達(dá)到增壓。http://zsrider.com/