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       4()個(gè)區(qū)硅碳棒加熱、干式變壓器變壓輸出、HCGY三相調(diào)功/調(diào)壓電力調(diào)整器進(jìn)行功率控制調(diào)節(jié)，控制柜現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境溫度達(dá)到52℃，該系統(tǒng)控制運(yùn)轉(zhuǎn)一切正常，未發(fā)現(xiàn)任何變壓器進(jìn)人磁飽和狀態(tài)，未損壞任何一個(gè)元器件，包括熔斷器、晶閘管、阻容保護(hù)、觸發(fā)板等，項(xiàng)目運(yùn)行一次通過(guò)驗(yàn)收。

        一線(xiàn)項(xiàng)目，39個(gè)區(qū)硅碳棒加熱、干式變壓器變壓輸出、HCGY三相調(diào)功/調(diào)壓電力調(diào)整器進(jìn)行功率控制調(diào)節(jié)，控制柜現(xiàn)場(chǎng)電壓極其不穩(wěn)定，調(diào)試階段電壓最高為431V，該系統(tǒng)控制運(yùn)轉(zhuǎn)一切正常，未發(fā)現(xiàn)任何變壓器進(jìn)人磁飽和狀態(tài)，未損壞任何一個(gè)元器件，包括熔斷器、晶閘管、阻容保護(hù)、觸發(fā)板等，項(xiàng)目運(yùn)行順利通過(guò)驗(yàn)收。

       經(jīng)過(guò)理論、試驗(yàn)、實(shí)踐所產(chǎn)生的HCGY三相調(diào)功/調(diào)壓電力調(diào)整器的技術(shù)是先進(jìn)的，可以避免在感性負(fù)載中產(chǎn)生的各種不良現(xiàn)象，如熔斷器燒損、觸發(fā)板燒損、陰容保護(hù)燒損、變壓器燒損等。使用穩(wěn)定可靠，可在各種電加熱控制設(shè)備上得到應(yīng)用。

       介紹了1T0陶瓷靶燒結(jié)工藝用硅碳棒電爐的研制過(guò)程，論述了其安全性解決方案、關(guān)鍵材料的選擇、壓力容器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。該硅碳棒電爐為國(guó)內(nèi)首臺(tái)高壓純氧燒結(jié)硅碳棒電爐。全粉化。高溫條件下，In203,Sn02極不穩(wěn)定，將隨燒結(jié)爐內(nèi)氧含量的高低，發(fā)生增氧和失氧化學(xué)反應(yīng)，該現(xiàn)象和常見(jiàn)的氮化硅陶瓷類(lèi)同。將TTO粉置于中性、惰性氣氛、真空實(shí)驗(yàn)爐中90()一1200℃加熱，出現(xiàn)明顯的金屬錮、錫揮發(fā)現(xiàn)象。由于高純度要求，粉體中不能加人助燒劑，因此，rpo陶瓷靶的燒成工藝難度很高，須采用壓力燒結(jié)和保護(hù)氣壓燒結(jié)等工藝②。http://zsrider.com/