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       方法一:HIP熱等靜壓法:將ITO粉體放于不銹鋼包套中，100MPa,800一1000℃熱等靜壓，制備密度達(dá)98%理論密度的超高密度硅碳棒靶。該法是國外的主要生產(chǎn)方法。但該法生產(chǎn)成本極高，國內(nèi)只有少數(shù)研究所有熱等靜壓設(shè)備，不適合我國國情。而且由于氧化物粉體在高溫時熱分解放出氧氣，硅碳棒應(yīng)力極大，易開裂，包套工藝難度大，需解決氧氣溢出問題。方法二:熱壓燒結(jié)法:該法可生產(chǎn)密度達(dá)91-%%理論密度的高密度ITO硅碳棒靶，但由于硅碳棒靶尺寸較大，易熱應(yīng)力開裂，故對熱壓機(jī)的溫度場均勻性、壓力穩(wěn)定性要求極高，熱壓機(jī)需要進(jìn)口，而且不適于工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)，成本高。方法三:冷等靜壓成型，高壓氧氣氛氣壓保護(hù)燒結(jié)法:將r1D粉體冷等靜壓成大塊硅碳棒坯體，然后在0.1一0.9MPa純氧環(huán)境，1500一1600℃高溫?zé)Y(jié)，可以生產(chǎn)密度達(dá)理論密度95%的硅碳棒靶。該法生產(chǎn)成本較上述兩種方法低，適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)，但使用高溫帶壓純氧，生產(chǎn)中有一定的危險，Q一16一55高溫高氧燒結(jié)爐已由我廠研制成功，該爐定型設(shè)計(jì)后有望工業(yè)批量生產(chǎn)，為ITO硅碳棒靶國產(chǎn)化打下了基礎(chǔ)。硅碳棒電爐技術(shù)參數(shù)基本技術(shù)參數(shù)額定爐溫:160090工作介質(zhì):0.1一1MPa氧氣(99.98%純度)或潔凈空氣爐膛尺寸:750深x350寬x350高溫度均勻性:士5℃空爐升溫時間:8h充氣時間:Sh額定功率:75kVA可編程溫度段數(shù):30段過程技術(shù)參數(shù)最高真空度:一0.09MPa(真空狀態(tài)用于爐氣換氣，置換空氣)條件技術(shù)參數(shù)冷卻水壓力:0.2MPa冷卻水溫度:簇20℃容器出水溫度:感3090硅碳棒最大工作電流:270A硅碳棒關(guān)斷編程電流1:300A硅碳棒關(guān)斷編程電流2:0A。http://zsrider.com/