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       可知，溫度和組成的變化決定了熔制玻璃密度。經(jīng)過高溫區(qū)的玻璃液氣泡少，密度大，無結石。但池深淺的話，玻璃液溫度還來不及下降便進入流液洞。用長1二的鉑鍺套管硅碳棒測定出料量Q的硅碳棒電熔爐中心溫度及用設置在出料量為a的全硅碳棒電熔爐池壁上長2B。二鉑鍺套管硅碳棒測定池壁的幾處溫度，結果如圖a所不。

       縱深方向的溫度變化主要是由于翎硅碳棒電極電阻比玻璃液電阻小得多，電阻最小處通過最大的電流，一方面熱玻璃自下而上流動，離開硅碳棒電極頂部的玻璃液溫度很高，另一方面池底硅碳棒電極水冷且保溫條件比四周差，因而攝度較低。溫度從低到高又從高到低的縱向分布正是熔制工藝所要求的。為物料及液流的大致走向。

       硅碳棒電極垂直布置一大優(yōu)點是在烤爐時，將預先插入爐內(nèi)那一段硅碳棒電極作為啟動硅碳棒電極氣見圖句。當外加熱能熔化爐底厚約30 om玻璃熟料時，便能通電使熔爐處于啟動刀狀態(tài)，從而大大縮短了烤爐時間，省去了起動硅碳棒電極及設備的費用，節(jié)省了大量的能源。但在使硅碳棒電極到位的幾次推頂中，有一定的危險性，操作要求高，技術難度大。

       垂直硅碳棒電極布置可根據(jù)不同情況和不同要求靈活多樣地改變輸配電方式，圖6所示是其中一種。

       從能量分布來看，硅碳棒電極周圍能量釋放最大。用單位時間內(nèi)玻璃液單位體積所接受熱量的熱功率密度來表示能量的分布即式中廁—熱功率密度。流經(jīng)截面的電流通，濘一垂直于電流通過截面積m3,場—電阻率從式②不難發(fā)現(xiàn)，熱功率密度與通過其體積截面的電流密度有關。硅碳棒電極將電能饋入玻璃液中，同它四周玻璃液體積相比，表面積最小，電流密度最大，假設垂直硅碳棒電極將能量以筒狀(圓柱狀)向外傳遞，那么離硅碳棒電極愈遠，筒形表面積愈大，電流密度就愈小，能量亦愈低。式式中刀一電場強度Y/om。式中不叮一電能J, ff一電壓y,It—電阻式吩喪示能量變化與二硅碳棒電極間電壓梯度方向變化相對應，它的方向與取得最大方向?qū)?shù)相一致，即二硅碳棒電極垂直距離間具有最大的能量釋放。

       硅碳棒電極表面能量釋放與硅碳棒電極之間玻璃液體所獲得的能量，可用它們的功率密度之比表示式中硅碳棒電極表面功率密度氣刀一垂直于二硅碳棒電極連線的熔池截面om,數(shù)，d—硅碳棒電極直徑啞。Pg熔池中玻璃液導體的功率密度了—液面高度與硅碳棒電極高度之比，一硅碳棒電極對式(動中，K>1，若一對硅碳棒電極表面積與熔池橫截面相差10倍的話，功率密度就高出10倍，而增加一對硅碳棒電極就能使其降低一半，從而使能量分布趨向均勻。通過對小型玻璃硅碳棒電熔爐冷氣‘熟”模擬試驗及長期實際觀察可知:單根垂直硅碳棒電極能量釋放較為理想的半徑區(qū)域在34D4 mm之間，要求能量釋放盡可能處在玻璃液所要求的位置上。了解和把握硅碳棒電極能量釋放狀況，有助于垂直硅碳棒電極合理布置，改善熔制工藝，建立理想的玻璃液流減少垂直硅碳棒電極自身的侵蝕及對耐火材料的熱沖刷。http://zsrider.com/