91在线黄色视频,91精品在线国产,中文无码日韩欧,色综合久久久久

    水解后得到的Si0:通過沉淀粘附在U型硅碳棒涂層表面，但是這種粘附不是很穩(wěn)定，所以對其進行固結(jié)處理。浸漬過的試樣在空氣中自然干燥后放入干燥箱內(nèi)進行干燥，使水解后沉淀粘附在U型硅碳棒涂層表面的Si0:能更加穩(wěn)定的固結(jié)在U型硅碳棒涂層上，這樣可以避免使用初期Si0:封閉層脫落而無法起到封閉U型硅碳棒涂層的作用。

    圖3.4是莫來石/SiC/SiU型硅碳棒涂層未封閉時的SEM表面形貌，圖中的裂紋處沒有任何封閉物質(zhì)，表面有較多的裂紋，有的裂紋還較寬。圖3.5是莫來石/SiC/SiU型硅碳棒涂層封閉后的SEM表面形貌，可以看出，U型硅碳棒涂層表面明顯有Si0:薄層，U型硅碳棒涂層表面的Si02層不連續(xù)。由于對U型硅碳棒涂層進行了多次的浸漬封閉處理，封閉層呈現(xiàn)多層的錯位片狀形狀，U型硅碳棒涂層表面能看見的裂紋變少。雖然Si0:層不連續(xù)，但是U型硅碳棒涂層表面的裂紋還是覆蓋有薄的Si0:層，微小的裂紋被Si0:薄層完全覆蓋，寬的深的裂紋也大部分被Si0:薄層所封閉，減少了裂紋的長度和深度，有效的減少了氧化氣氛中氧氣與基體材料直接接觸的通道，增強了U型硅碳棒涂層的抗氧化效果。

    涂覆涂層之前，U型硅碳棒電熱元件的早期鈍性氧化產(chǎn)物為玻璃態(tài)Si0:膜，隨著氧化溫度的升高，約8000C-11400C，玻璃態(tài)Si0:膜發(fā)生晶化。相變產(chǎn)生體積變化，這使得Si0:保護膜結(jié)構(gòu)變得疏松，進而同U型硅碳棒基體結(jié)合不牢。隨著溫度的進一步升高，SiC活性氧化加劇，SiC材料以Si0和CO形式揮發(fā)，從而使其結(jié)構(gòu)變得疏松，材料喪失了鈍性氧化時較好的抗氧化性能。從圖3.6, 3.7可以看出:無涂層的U型硅碳棒電熱元件高溫氧化后，雖可見有玻璃態(tài)的Si02，但此時的Si0:膜結(jié)構(gòu)疏松，有大量氣孔存在，氧氣通過這些氣孔與內(nèi)部的SiC繼續(xù)反應，導致U型硅碳棒電熱元件強度連續(xù)下降。

    莫來石//SiC體系涂層形貌

    由圖3.8可以看出，SiC/莫來石涂層在基體表面涂覆厚度較均勻，基體微孔基本被涂層均勻覆蓋，涂層表面較致密，有連續(xù)的玻璃態(tài)保護膜。但是，涂層中有少許微孔存在，有輕微裂縫，涂層表面存在凹凸不平整現(xiàn)象。