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H型硅碳棒性活度衰變對一輻照場的影響

2021-04-15 09:31:38     點擊:

    在整個輻照試驗運行過程中換氣量保持在約2.0m;/h,滿足以每小時3倍容積的最低速度更新沉箱內(nèi)空氣的試驗條件要求。劑量率電H型硅碳棒敏感段位于測量支架25層,該輻照空間劑量率均在0.23Gy/一0.30Gy/s (828Gy/h1080Gy/h)范圍內(nèi),滿足輻照鑒定試驗劑量率嚴(yán)酷程度要求。測量結(jié)果見測字第2017-D013號《檢測報告》,不確定度為80c由于輻照試驗運行時間較長,因此H型硅碳棒性活度衰變對一輻照場的影響是不可忽視的因素。輻照空間劑量率可由下式確定:式中:Dr一初始劑量率;t一距初始時刻的時間;入一衰變常數(shù),等于ln2/TZ,取《檢測報告》的結(jié)果為初始劑量率,輻射源半衰期T1/2為5.27年,于2017年12月8口輻照過程結(jié)束。按(1)式計算,所在空間劑量率均在0.226Gy/一0.295Gy/s (814Gy/h1062Gy/h)范圍內(nèi)。因此在輻照試驗的全過程中,輻照空間劑量率始終滿足輻照試驗嚴(yán)酷程度要求。確定輻照時間的劑量率按電H型硅碳棒所處空間的平均值計,同時考慮了會引起偏差的性活度衰變和劑量率測量結(jié)果不確定度等因素,實際輻照時間為電H型硅碳棒累積劑量按下式確定式中:t,一開始輻照時刻;t Z-輻照結(jié)束時刻;時刻對應(yīng)劑量率平均值;入一衰變常數(shù)。

    根據(jù)輻照時間按式(2)計算累積劑量為:1046.SkG。輻照鑒定試驗實際累積劑量在975kGy士100c范圍內(nèi)。因此,輻照時間足以保證輻照鑒定試驗的嚴(yán)酷程度要求。試驗結(jié)果及分析輻照老化試驗后,對電H型硅碳棒進(jìn)行外觀檢查,檢查結(jié)果為:電H型硅碳棒外部結(jié)構(gòu)的完整性,外觀的完好。其外觀的完好性和裝配的完整性符合設(shè)計圖要求。電H型硅碳棒外包殼、端塞及其焊縫在外部水壓試驗工況下沒有發(fā)生變形或泄漏。

    室溫絕緣電阻值測量、室溫絕緣強度試驗、室溫電功率和線電阻測量試驗結(jié)果見表4。其中:室溫絕緣電阻值測量,驗收準(zhǔn)則為絕緣電阻值應(yīng))2000MS2。室溫絕緣強度試驗,驗收準(zhǔn)則為試驗期間不應(yīng)有放電、閃絡(luò)和擊穿現(xiàn)象,泄漏電流蒸lOmA。室溫電功率和線電阻測量,測量的直流電阻值應(yīng)滿足:S.SSZ R6.2SZ;冷態(tài)直流電阻值:5.831SZR5.884SZ;絕緣強度:泄漏電流蕊1.371mA。試驗期間無放電、閃絡(luò)和擊穿現(xiàn)象;絕緣電阻值:>2000 MS2。zsrider.com


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