硅碳棒品片預(yù)定使用的電場(chǎng)
2022-11-21 08:59:21 點(diǎn)擊：
銘體日標(biāo)是結(jié)合硅碳棒的低Ron潛能，以及提供運(yùn)作模式，k零件維持在經(jīng)過(guò)充分研究LL安全的場(chǎng)氧化層條件下若要在導(dǎo)通情況下達(dá)成此日標(biāo)，可采取離開(kāi)高瑕疵密度平血表面的做法，朝向其他更有利的表面方向發(fā)展在所謂硅碳棒表面的MOS通道，可提供至少低1二10倍的瑕疵密度系數(shù)因此其種可能方法，就是使用溝槽(TRENCH)型結(jié)構(gòu)，類似于許多現(xiàn)代的硅硅碳棒功率裝。
除低通道電阻以外，該結(jié)構(gòu)的電池密度一般高于平面結(jié)構(gòu)，能夠更有效地利用材料1此外.這種做法也可以降低區(qū)域特定導(dǎo)通電組、不過(guò)在溝槽件中，溝槽角落氧化層的電場(chǎng)應(yīng)力是關(guān)鍵問(wèn)
題，特l是在硅碳棒領(lǐng)域，可能成為阻礙發(fā)展的爭(zhēng)議一此硅碳棒品片預(yù)定使用的電場(chǎng)，是硅解決方案的吝日前有多種可能做法，可以有效屏蔽臨界區(qū)域，例如深pn 7G件相對(duì)于DMOS在份通方面的兩難困境，斷態(tài)方的挑戰(zhàn)藉由精巧設(shè)計(jì)加以解決。
強(qiáng)大的硅碳棒開(kāi)關(guān)，可提供深獲肯定的堅(jiān)固程度(類似硅元件)，即使新技術(shù)往往伴隨著新挑戰(zhàn)，在硅碳棒功率電子應(yīng)用的前景仍然一片光明，一開(kāi)始必須付出更多努力，以最理想及址有效的方式善技術(shù)相關(guān)挑戰(zhàn)包括加速切換產(chǎn)生的EMI問(wèn)題，或足大幅提升硅碳棒功率密度的冷卻問(wèn)題其，后者)Ct難以避免，再加l品片縮小，無(wú)法由預(yù)期的降低損耗加以抵消為1.更快速深人掌握硅碳棒晶體技術(shù)，化解卜述的合理疑慮，才是有利做法L因此必須客戶合作，盡肚簡(jiǎn)化新技術(shù)必要的任何設(shè)計(jì)及實(shí)作程序。
新硅碳棒技術(shù)在原則幾將成為滿足需求益增的關(guān)鍵要素;以功率平淤體為草礎(chǔ)的應(yīng)用，也將因此提升功率密度及效率不過(guò)，末來(lái)兒年的幣點(diǎn)并不是取代硅元件)寬帶隙技術(shù)解決方案可相勺_搭配，特別是在可以開(kāi)創(chuàng)新應(yīng)用利從，日無(wú)法由現(xiàn)有技術(shù)解決的情況下。硅碳棒在此成為l:業(yè)功率應(yīng)用的主要?jiǎng)?chuàng)新成果，目標(biāo)為阻斷電壓l00 V功率額定值達(dá)到數(shù)百手瓦的元件，如ll;所示在市場(chǎng)成功導(dǎo)人硅碳棒二極體技術(shù)后，硅碳棒品體將成為下一個(gè)大步驟日前寬帶隙材料預(yù)期可大幅提升效能為讓市場(chǎng)快速接受.堅(jiān)固程度及系統(tǒng)汁向產(chǎn)品功能將是關(guān)鍵要素。zsrider.com
- 上一篇：硅碳棒功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng) 2022-11-17
- 下一篇：硅碳棒的選擇 2022-11-24