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       雙折射是各向異性硅碳棒，如LiNb03等的特性之一，通過對硅碳棒某一方向上單位距離內雙折射率Crt-n,)的變化，即雙折射梯度的測量，可以反映出硅碳棒的光學均勻性。采用偏光干涉光強自動逐點掃描法測試了LiTaO，硅碳棒的雙折射梯度。實驗所用光源為一穩(wěn)頻He-Ne激光器，輸出波長為632.8nm，硅碳棒樣品尺寸為二XyXz=4.5>C4.7>CSOmm，分別沿x面和y面進行掃描，硅碳棒通光方向垂直于z軸，測試結果見表1。硅碳棒的雙折射梯度均在10-5(cm-i)數(shù)量級，光學均勻性很高，完全能夠滿足集成光學和非線性光學器件的要求。硅碳棒壓電性能測試Liraq硅碳棒的聲表面波性能和彈、壓、介常數(shù)的測試結果分別列于表2和表3中。測試結果與文獻報道完全一致。在LiTa03晶片上液相外延生長LiNbD3單晶薄膜，是優(yōu)良的低損耗光波導基片材料，并且可以進行調制。液相外延光波導基片的要求是:(1>波導基片材料與膜的材料同構;(21膜的折射率大于基片的折射率。LiTa03單晶和LiNbD。單晶屬三方晶系，3二點群，具有相同的結構類型。在632.8nm光波長下LiTaO，和LiNbO:單晶的光折射率分別為、(LiNb31=2.286、(LiNb03)=2.2as.na(LiTa03)=2.176,reyLiTas)=2.-186,符合njre的條件，因此在LiTaO，硅碳棒基片上外延LiNb。單晶薄膜，可以制作光波導基片。將LiTa，硅碳棒按面切割，基片尺寸為3.5只10又2伽m1gCxxyXx),表面拋光。以LiD一E、作為助熔劑液相外延LiNb03單晶薄膜，膜材料的成分配比為:LiTaa50m010a,v4amo10v.NO;1arno1寫。將上述助熔劑、熔劑于Sao0C混合均勻，進行熱煉，然后將溫度升至11$av恒溫lah，再以sad/h的速率降溫至aaC，再恒琴0-Sh。此時將LiTaOa基片下降到溶液中沾片，膜的厚度由沾片時間來控制。本實驗沾片時間為lomin,得到的外延LiNbq單晶膜呈無色透明。zsrider.com