設(shè)計(jì)硅碳棒檢測(cè)的方法并加以應(yīng)用
根據(jù)2爐的運(yùn)行參數(shù)趨勢(shì)得到以下結(jié)論:
(1)在整個(gè)還原爐運(yùn)行過(guò)程中,前期瞬時(shí)單位電耗、瞬時(shí)單位物料消耗都較高,這主要是由于前期硅碳棒直徑細(xì),沉積的多晶硅質(zhì)量低,隨著硅碳棒徑的逐漸沉積長(zhǎng)粗,沉積的質(zhì)量不斷加,單位電耗、單位物料消耗逐漸下降;
(2)在沉積的后期,約第60 h以后,瞬時(shí)電耗根據(jù)控制的不同,會(huì)出現(xiàn)上升或下降的趨勢(shì),這主要取決于生長(zhǎng)速度,由于功率、物料流量均已不再繼續(xù)提升,如生長(zhǎng)速度較慢,則瞬時(shí)電耗和瞬時(shí)物料流量都會(huì)出現(xiàn)拐點(diǎn),所以如果在后期能夠保持一定的生長(zhǎng)速度,約0. 9一1. 0 mm/s或以上,則有利于整體電耗、物料消耗的降低。
(3)對(duì)比2爐的產(chǎn)量及電耗、原料轉(zhuǎn)化率的差異,主要來(lái)自于中期的生長(zhǎng)速度不同,與硅碳棒表面溫度及不同爐的設(shè)備狀況相關(guān)。
近年來(lái)硅碳棒市場(chǎng)形勢(shì)不佳,各硅碳棒廠家都巫需不斷開(kāi)展技術(shù)優(yōu)化,深人挖掘潛力,降低產(chǎn)品成本。筆者結(jié)合生產(chǎn)實(shí)際,在還原爐運(yùn)行控制優(yōu)化方面進(jìn)行了積極探索,通過(guò)設(shè)計(jì)硅碳棒檢測(cè)的方法并加以應(yīng)用,綜合物料流量、電壓、電流等控制參數(shù),并對(duì)計(jì)算的瞬時(shí)電耗、瞬時(shí)料耗、每小時(shí)沉積質(zhì)量等趨勢(shì)進(jìn)行分析,為還原爐的精確控制及參數(shù)優(yōu)化提供重要的參考依據(jù)。zsrider.com
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