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    通過簡單的化學(xué)還原輔助水熱法制備了新型的SiC/Pt/CdSZ異質(zhì)結(jié)納米硅碳棒，將Pt納米顆粒錨定在SiC納米硅碳棒與CdS納米顆粒的界面上，誘導(dǎo)了電子空穴的產(chǎn)生。對沿著Z形遷移路徑轉(zhuǎn)移。進行了一系列表征，以分析催化體系的結(jié)構(gòu)，形態(tài)和性能。X射線衍射（XRD）和X射線光電子能譜（XPS）結(jié)果表明，已經(jīng)成功地合成了具有良好晶體結(jié)構(gòu)的光催化劑。通過透射電子顯微鏡證明，Pt納米顆粒在SiC納米顆粒硅碳棒和CdS納米顆粒之間的界面處生長。UV-Vis漫反射光譜表明，所制備的Z型異質(zhì)結(jié)樣品比原始CdS材料具有更寬的光吸收范圍。光致發(fā)光光譜和瞬時光電流響應(yīng)進一步證明，摩爾比最佳的SiC/Pt/CdS納米硅碳棒樣品具有最高的電子-空穴對分離效率。通過控制SiC與CdS的摩爾比，可以有效地調(diào)節(jié)SiC/Pt納米硅碳棒表面上CdS的負(fù)載量，從而使SiC/Pt/CdS納米硅碳棒光催化劑達到最佳性能。

    當(dāng)SiC：CdS=5：1摩爾比時，可以獲得最佳的制氫性能，最大的析氫速率達到122.3molh。另外，從掃描電子顯微鏡，XRD和XPS分析可以看出，經(jīng)過三個循環(huán)的測試，SiC/Pt/CdS光催化劑的形貌和晶體結(jié)構(gòu)基本保持很小，表明SiC/Pt/CdS納米復(fù)合材料可見光在產(chǎn)生氫時具有穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。通過選擇性光沉積技術(shù)，在光反應(yīng)中同時進行A-九大米顆粒的光還原沉積和Mna0a納米顆粒的光氧化沉積，以證明電子-空穴對的Z型轉(zhuǎn)移機理。實驗結(jié)果表明，CdS導(dǎo)帶上的電子主要參與光催化過程中的還原反應(yīng)，SiC價帶上的空穴更容易發(fā)生氧化反應(yīng)。其中，SiC導(dǎo)帶上的電子將與CdS價帶上的空隙相互作用。孔重新組合以形成Z型傳輸路徑。因此，提出了在光催化制氫過程中SiC/Pt/CdS納米硅碳棒催化體系可能的Z型電荷轉(zhuǎn)移路徑，以解釋制氫活性的增加。該研究為基于SiC納米硅碳棒的Z型光催化體系的合成提供了新的策略?；谝陨戏治觯琒iC/Pt/CdS納米復(fù)合材料具有效率高，成本低，制備容易，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定等優(yōu)點，具有廣闊的商業(yè)應(yīng)用前景。