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       硅芯是熱源載體，由于電流的集膚效應(yīng)，等直徑硅碳棒表面的溫度是最高的，控制合適的等直徑硅碳棒表面溫度可以提高多晶硅的沉積速率。隨著離等直徑硅碳棒表面距離的增加，溫度逐漸降低，最后趨于穩(wěn)定達(dá)到系統(tǒng)混合氣體的溫度，溫度變化趨勢(shì)如圖6所不。

       區(qū)熔等直徑硅碳棒產(chǎn)品內(nèi)在質(zhì)量純度要達(dá)到m以上，同時(shí)還要滿足各種力學(xué)性能的測(cè)試，電子級(jí)多晶硅料需要將等直徑硅碳棒進(jìn)行破碎和二次熔煉拉制，而區(qū)熔多晶硅則要保持整根等直徑硅碳棒的完整外觀，出爐的區(qū)熔等直徑硅碳棒需要再經(jīng)過(guò)輥磨、磨錐、刻槽、腐蝕后在區(qū)熔爐上使用，由于區(qū)熔爐為局部加熱熔化，當(dāng)?shù)戎睆焦杼及艟植考訜岷蟮戎睆焦杼及舨煌恢镁痛嬖谳^大溫度差，這就要求等直徑硅碳棒具有非常高的致密度方能滿足要求，一也是區(qū)熔等直徑硅碳棒制備的關(guān)鍵指標(biāo)。

       采用硅烷CVD法制備區(qū)熔多晶硅時(shí)，由于硅烷易提純的特性，反應(yīng)物料的純度等級(jí)較高，同時(shí)CVD爐熱分解反應(yīng)單一，副反應(yīng)較少，容易制備出純度較高的區(qū)熔硅產(chǎn)品，同時(shí)硅烷作為原料，則物料中不含C1元素，分解的產(chǎn)物不存在腐蝕性，從而避免了對(duì)設(shè)備的腐蝕。但是由于硅烷氣體活潑性較強(qiáng)，在CVD高溫反應(yīng)后分解出大量氫氣，因此對(duì)設(shè)備的密封性能要求極高，若泄漏會(huì)發(fā)生自燃和爆炸事故，同時(shí)硅烷CVD爐內(nèi)設(shè)置的油夾套在高溫過(guò)程中容易出現(xiàn)泄漏和金屬雜質(zhì)析出等風(fēng)險(xiǎn)，若材質(zhì)選取不當(dāng)則對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量造成很大影響。http://zsrider.com/