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       對(duì)于外環(huán)硅碳棒，由于無其他硅碳棒阻擋，其直接面向反應(yīng)器壁面。因此，隨著硅碳棒半徑的增大，其輻射能耗逐漸增大，且其對(duì)流熱損失也緩慢增大，見圖4。所以隨著硅碳棒半徑的增大，加熱的硅碳棒對(duì)外界的熱通量一直增大，從而導(dǎo)致其中心溫度逐漸增大，即溫度梯度逐漸增大,對(duì)比圖3a,31)和圖3<可知，外環(huán)硅碳棒中心溫度明顯高于內(nèi)環(huán)和中環(huán)硅碳棒，而中環(huán)硅碳棒中心溫度明顯高于內(nèi)環(huán)硅碳棒，這是因?yàn)橥猸h(huán)硅碳棒輻射能耗明顯高于中環(huán)和內(nèi)環(huán)硅碳棒，中環(huán)硅碳棒輻射能耗明顯高于內(nèi)環(huán)硅碳棒，且中環(huán)和外環(huán)硅碳棒對(duì)流熱損失幾乎一致，均大于內(nèi)環(huán)硅碳棒對(duì)流熱損失，見圖4。當(dāng)硅碳棒半徑較小時(shí)，不同環(huán)上硅碳棒的輻射熱損失和對(duì)流熱損失相差不大，從而導(dǎo)致不同環(huán)上的硅碳棒中心溫度相差不大，如當(dāng)硅碳棒半徑為1ctT，時(shí)，內(nèi)、中和外環(huán)中心溫度分別為1439,1447和1452K,見圖3。隨著硅碳棒半徑的增大，不同環(huán)_L硅碳棒的輻射熱損失和對(duì)流熱損失的差仇逐漸增人(ICI4>致不I司環(huán)的硅碳棒中心溫度差依逐漸增大。如當(dāng)tl棒lt.徑為4和5wn時(shí)，外環(huán)硅碳棒中心溫ItK分i為:1478,1535,1541K和1473、1572、I598k。http://zsrider.com/