三維還原爐內硅碳棒直流電加熱模型
2024-04-11 19:22:21 點擊：
本文基于24對硅碳棒還原爐，建立三維還原爐內硅碳棒直流電加熱模型。通過研究反應器中內、中、外環(huán)上硅碳棒半徑和反應器壁發(fā)射率對硅碳棒內部溫度分布的影響，得到以下結論:
1)硅碳棒內部溫度有一個明顯的溫度梯度，硅碳棒中心溫度遠高于表面溫度。內環(huán)硅碳棒，輻射熱損失在硅碳棒半徑為3 cm時達到最大值;中環(huán)硅碳棒，其中心溫度在半徑為5 cm時達到最大;外環(huán)硅碳棒，其中心溫度逐漸增大。
2)當半徑一定時，隨著反應器壁發(fā)射率的增大，各環(huán)硅碳棒中心溫度逐漸上升。內環(huán)硅碳棒，半徑為3 cm時輻射率對硅碳棒中心溫度的影響最大;中環(huán)硅碳棒，半徑為S cm時影響最大;外環(huán)硅碳棒，硅碳棒半徑最大時影響最大。
3)輻射熱損失越大，反應器壁的輻射率對硅碳棒內部溫度的影響越強。對于外環(huán)硅碳棒，反應器壁輻射率對硅碳棒中心溫度的影響最大，中環(huán)硅碳棒次之，內環(huán)硅碳棒最小。
4)在生產過程中應對反應器壁及時進行清掃或磨光處理，以降低其輻射率，從而降低硅碳棒中心溫度，使避免產生倒硅碳棒危險。http://zsrider.com/
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