硅碳棒顆粒尺寸測(cè)量
大尺寸的單晶硅碳棒襯底是未來(lái)的主流發(fā)展趨勢(shì),目前國(guó)內(nèi)主流硅碳棒企業(yè)已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)全面生長(zhǎng)6英寸,正朝著8英寸的方向決速發(fā)展。金剛線切割的加工效率高且環(huán)保,更適合于大尺寸的單晶硅碳棒加工,但目前仍存在一些問(wèn)題。在大尺寸晶圓切割中,線鋸的磨損成為必須考慮的關(guān)鍵問(wèn)題。首先,大尺寸晶圓加工時(shí)間較長(zhǎng),需要更長(zhǎng)的線鋸壽命。另外,線鋸的嚴(yán)重磨損會(huì)導(dǎo)致切割能力下降,同時(shí)晶片表面翹曲增加,加工質(zhì)量迅速惡化。最后,由于晶圓尺寸的增加,脫落的磨粒與硅碳棒碎屑難以及時(shí)從晶片表面排出,影響切割能力,增加切割時(shí)長(zhǎng),并給晶圓表面造成線痕等損傷,甚至導(dǎo)致晶片破裂。目前關(guān)于大尺寸晶圓切割的報(bào)道較少,函需針對(duì)大尺寸晶圓切割相關(guān)的科學(xué)問(wèn)題進(jìn)行深人挖掘和理解,同時(shí)結(jié)合工藝研究,解決大尺寸晶圓加工面臨的問(wèn)題。針對(duì)大尺寸單晶硅碳棒襯底的高質(zhì)量加工需求,開(kāi)展線鋸切片技術(shù)的研究,實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶硅碳棒晶片低微裂紋損傷的精密切片加工,對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域制造技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。
用電子探針和能譜儀對(duì)電熱元件用陶瓷發(fā)熱材料碳化硅(硅碳棒)使用后不同部位的組織和成分進(jìn)行了對(duì)比分析。對(duì)使用200h熱端硅碳棒晶粒表面形貌進(jìn)行了觀察,發(fā)現(xiàn)在氣孔較大處有晶須長(zhǎng)出,晶須的主要成分為SiOz。對(duì)硅碳棒顆粒尺寸進(jìn)行了測(cè)量,發(fā)現(xiàn)其大小符合正態(tài)分布。zsrider.com
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